半导体氧化锌是典型的第三代半导体材料，兼具3.37eV的禁带宽度和60meV的激子束缚能，属于II-VI族半导体。由于氧化锌具备独特的压电、电学、光学记忆性能，所以氧化锌在传感器、导电记忆元件、激光系统等中具有广阔的应用范围。目前，有效提高氧化锌薄膜光电性能的方法就是锂掺杂。